第727章 CMOS集成电路成功
“李工”。
“李工你来了。”。
“李工”。
刚一进入到研究所內，看见李梟的技术员就向李梟打著招呼道。
李梟也是笑著和眾人打著招呼，看到一个熟人，李梟也是问道：“罗教授呢？”。
“罗教授在一號实验室，正在等著测试结果。”。
“cmos集成电路有结果了？”，闻言李梟也是眼前一亮。迫不及待的问道。
要知道cmos集成电路，也被叫做互补金属氧化物半导体。
而它的核心就在“互补”上，电路由两种不同类型的电晶体组成，也就是pmos和nmos，在静態的时候会有一个处於关闭状態 ，也正因如此，这使得静態功耗极低，只有在开关切换的瞬间，才会產生显著的功耗。
此外cmos技术还具有高噪声容限，也就是抗干扰性能，以及宽工作电压范围等优点。
也正因为如此，cmos集成电路是现代电子设备的基石，没有它很多电子设备都製造不出来。
他之前就知道，在cmos集成电路的研究上已经取得了很大的进展，但真没想到竟然这么快，他以为就算是再快也要等个半年一年左右。
不过隨后李梟就又冷静了下来，就算是能製造出cmos集成电路，但如果无法量產的话也是白搭。
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要知道cmos集成电路的製造，绝对离不开光刻机，光刻机也是晶片製造中最核心、最关键的设备之一。
如果没有光刻机，无论晶片设计多么精妙，但始终只是设计，没有办法把晶片转移到硅片上，也就自然製造不出集成电路。
国內现在的光刻机，还是接触式光刻，这种光刻机比起接近式光刻机差的还很远，效率有限，虽然也能够製造出集成电路，但只能製造简单的集成电路，稍微复杂点的就不够看了。
如果实在不行的话，那么他也就先只能先用双极型电晶体集成电路。
双极型电晶体集成电路，算的上世界上最早的一块集成电路，就是双极型电晶体集成电路，国內的第一块集成电路也是双极型电晶体集成电路。
在这方面，国內在今年的时候，已经算是比较成熟了，良品率可以达到70%。
虽然它也有很多优点。
像是开关速度快、信號传输延迟极低，还具备高电流驱动能力，无需额外缓衝器，还有就是抗辐射能力强，適配极端环境更是优秀，就算是在- 50c以下的低温环境中，工作依旧稳定。
但如果要和cmos集成电路比的话，还是差了很多。
首先就是低功耗上，双极型集成电路即使不工作，也会因 pn 结正向偏置產生持续电流，功耗可以达到毫瓦级。
其次就是集成度上。
双极型电晶体是纵向结构，如果工艺微缩到3微米以下，就会出现漏电、寄生电容过大等问题。
cmos集成电路就不一样了，它上面的电晶体是由柵极、源极、漏极组成，可通过光刻、离子注入等工艺持续缩小尺寸，也就是说单晶片电晶体数量没有上限，像是后世的cerebras wse晶片上面就集中了4万亿电晶体。
双极型电晶体集成电路上线最多也就是近万。
此外还有抗干扰能力强，工作稳定性都要更高，作电压范围宽，適配场景更灵活，相比下双极型电路的工作电压范围就稍微较窄了，电压波动容易导致性能异常。
如果用双极型电晶体集成电路製造150机的话，其效果肯定比cmos集成电路差很多。
李梟肯定希望用cmos集成电路。
等到李梟到实验室的时候，隔著玻璃窗，罗教授正在看著里面几名工程师在测试。
看到李梟过来，罗教授也是愣了一下，他知道李梟这一阵子很忙，也就有些疑惑道：“你怎么来了？那边忙完了？”。
“差不多忙完了，有了点新想法，现在cmos实验测试是什么情况？”。
“这已经是第六十一叠代了，总体並不太顺利，我们的工艺还是不太成熟。”。
“那这一次呢？”。
“这一次。”，说到一半，罗教授顿了顿这才道：“或许能成？”。
两人正说话间，通过喇叭，想起了里面王教授的声音：“罗所，柵极电压稳定3.2v，源漏极偏置5v，所有参数都按新方案调好了，示波器校准到了1纳安档了，接地良好。”。
听到这话，正在和李梟解释的罗教授，立刻看向了里面，沉声道：“开电源。” 。
闻言王教授也是立刻按下了一个红色按钮，在按下红色按钮的瞬间，实验室里所有人都屏住了呼吸。
示波器的绿光在蒙著薄尘的屏幕上跳动，但却是杂乱的波纹。
这也让眾人心中一沉，李梟也是一样，也就正在这个时候，王教授道：“可能是探针接触不良，微调一下。”。
听到命令，一名工程师开始缓缓转动探针台的微米旋钮，每转一格都要停一停，眾人也都是大气都不敢喘，死死的盯著显示器的屏幕。
突然，示波器上的波纹猛地一收，像被一双无形的手攥住一般，瞬间拉成一条平直的绿线，稳稳停在0.08纳安的刻度上。
见此李梟也是快速换算了起来，静態电流0.08纳安换算成功耗只有0.4纳瓦，这也让一下子凑进到了玻璃面前，睁大眼睛向著里面的显示器看去。
在显示器那条没有一丝波动的绿线旁边，开关速度波形，落在80纳秒区间，这也就意味著两个核心指標，同时达標了。
见此王教授有些迫不及待道：“再多测试几遍，换不同温度点。”。
说著就自己开始往恆温箱里加液氮，隨著温度的变化，从 - 40c到 60c之间的温度，全部都测试了一遍，旁边的记录人员也是飞快地记录著实验数据，每记录下一组，脸上的笑意就会多几分。
等到数组数据全部记录下来，静態功耗最高的是0.1纳瓦，开关速度稳定在80-100纳秒，噪声容限则是1.9v。
这也代表著这一枚cmos集成电路，完全符合了设计要求。
“李工你来了。”。
“李工”。
刚一进入到研究所內，看见李梟的技术员就向李梟打著招呼道。
李梟也是笑著和眾人打著招呼，看到一个熟人，李梟也是问道：“罗教授呢？”。
“罗教授在一號实验室，正在等著测试结果。”。
“cmos集成电路有结果了？”，闻言李梟也是眼前一亮。迫不及待的问道。
要知道cmos集成电路，也被叫做互补金属氧化物半导体。
而它的核心就在“互补”上，电路由两种不同类型的电晶体组成，也就是pmos和nmos，在静態的时候会有一个处於关闭状態 ，也正因如此，这使得静態功耗极低，只有在开关切换的瞬间，才会產生显著的功耗。
此外cmos技术还具有高噪声容限，也就是抗干扰性能，以及宽工作电压范围等优点。
也正因为如此，cmos集成电路是现代电子设备的基石，没有它很多电子设备都製造不出来。
他之前就知道，在cmos集成电路的研究上已经取得了很大的进展，但真没想到竟然这么快，他以为就算是再快也要等个半年一年左右。
不过隨后李梟就又冷静了下来，就算是能製造出cmos集成电路，但如果无法量產的话也是白搭。
（请记住看书就上 101 看书网，精彩尽在??????????????????.??????网站，观看最快的章节更新）
要知道cmos集成电路的製造，绝对离不开光刻机，光刻机也是晶片製造中最核心、最关键的设备之一。
如果没有光刻机，无论晶片设计多么精妙，但始终只是设计，没有办法把晶片转移到硅片上，也就自然製造不出集成电路。
国內现在的光刻机，还是接触式光刻，这种光刻机比起接近式光刻机差的还很远，效率有限，虽然也能够製造出集成电路，但只能製造简单的集成电路，稍微复杂点的就不够看了。
如果实在不行的话，那么他也就先只能先用双极型电晶体集成电路。
双极型电晶体集成电路，算的上世界上最早的一块集成电路，就是双极型电晶体集成电路，国內的第一块集成电路也是双极型电晶体集成电路。
在这方面，国內在今年的时候，已经算是比较成熟了，良品率可以达到70%。
虽然它也有很多优点。
像是开关速度快、信號传输延迟极低，还具备高电流驱动能力，无需额外缓衝器，还有就是抗辐射能力强，適配极端环境更是优秀，就算是在- 50c以下的低温环境中，工作依旧稳定。
但如果要和cmos集成电路比的话，还是差了很多。
首先就是低功耗上，双极型集成电路即使不工作，也会因 pn 结正向偏置產生持续电流，功耗可以达到毫瓦级。
其次就是集成度上。
双极型电晶体是纵向结构，如果工艺微缩到3微米以下，就会出现漏电、寄生电容过大等问题。
cmos集成电路就不一样了，它上面的电晶体是由柵极、源极、漏极组成，可通过光刻、离子注入等工艺持续缩小尺寸，也就是说单晶片电晶体数量没有上限，像是后世的cerebras wse晶片上面就集中了4万亿电晶体。
双极型电晶体集成电路上线最多也就是近万。
此外还有抗干扰能力强，工作稳定性都要更高，作电压范围宽，適配场景更灵活，相比下双极型电路的工作电压范围就稍微较窄了，电压波动容易导致性能异常。
如果用双极型电晶体集成电路製造150机的话，其效果肯定比cmos集成电路差很多。
李梟肯定希望用cmos集成电路。
等到李梟到实验室的时候，隔著玻璃窗，罗教授正在看著里面几名工程师在测试。
看到李梟过来，罗教授也是愣了一下，他知道李梟这一阵子很忙，也就有些疑惑道：“你怎么来了？那边忙完了？”。
“差不多忙完了，有了点新想法，现在cmos实验测试是什么情况？”。
“这已经是第六十一叠代了，总体並不太顺利，我们的工艺还是不太成熟。”。
“那这一次呢？”。
“这一次。”，说到一半，罗教授顿了顿这才道：“或许能成？”。
两人正说话间，通过喇叭，想起了里面王教授的声音：“罗所，柵极电压稳定3.2v，源漏极偏置5v，所有参数都按新方案调好了，示波器校准到了1纳安档了，接地良好。”。
听到这话，正在和李梟解释的罗教授，立刻看向了里面，沉声道：“开电源。” 。
闻言王教授也是立刻按下了一个红色按钮，在按下红色按钮的瞬间，实验室里所有人都屏住了呼吸。
示波器的绿光在蒙著薄尘的屏幕上跳动，但却是杂乱的波纹。
这也让眾人心中一沉，李梟也是一样，也就正在这个时候，王教授道：“可能是探针接触不良，微调一下。”。
听到命令，一名工程师开始缓缓转动探针台的微米旋钮，每转一格都要停一停，眾人也都是大气都不敢喘，死死的盯著显示器的屏幕。
突然，示波器上的波纹猛地一收，像被一双无形的手攥住一般，瞬间拉成一条平直的绿线，稳稳停在0.08纳安的刻度上。
见此李梟也是快速换算了起来，静態电流0.08纳安换算成功耗只有0.4纳瓦，这也让一下子凑进到了玻璃面前，睁大眼睛向著里面的显示器看去。
在显示器那条没有一丝波动的绿线旁边，开关速度波形，落在80纳秒区间，这也就意味著两个核心指標，同时达標了。
见此王教授有些迫不及待道：“再多测试几遍，换不同温度点。”。
说著就自己开始往恆温箱里加液氮，隨著温度的变化，从 - 40c到 60c之间的温度，全部都测试了一遍，旁边的记录人员也是飞快地记录著实验数据，每记录下一组，脸上的笑意就会多几分。
等到数组数据全部记录下来，静態功耗最高的是0.1纳瓦，开关速度稳定在80-100纳秒，噪声容限则是1.9v。
这也代表著这一枚cmos集成电路，完全符合了设计要求。